Intel und Micron kündigen neue Speichertechnologie an, die bis zu 1000 mal schneller ist als NAND-Flash

Die beiden Halbleiterhersteller Intel und Micron haben heute eine neue Speichertechnologie angekündigt, die bis zu 1000 mal schneller und langlebiger als heutige NAND-Flashspeicher ist. Die als 3D XPoint bezeichnete Technologie basiert auch nicht auf Transistoren wie NAND-Flash. Intel will das genaue Funktionsprinzip nicht verraten, es wird jedoch angenommen, dass es sich hierbei um sogenannte Memristoren handelt.

Dafür liefern die beiden Hersteller aber eine Animation über den dreidimensionalen Aufbau der Speichereinheiten, die eine Gitterstruktur aufweisen. Die Speicherzellen sind jeweils oben und unten durch Leiterbahnen zum Lesen und Beschreiben verbunden, die zueinander kreuzförmig verlaufen und so das Ansprechen jeder Speicherzelle wie in einer Matrix ermöglichen. Die einzelnen Zellen speichern jeweils einen Bit und derzeitige Chips mit dieser Technologie können 128 Gigabit, also 16 GB an Daten speichern. Jedoch lassen sich zu den derzeitigen zwei Schichten noch weitere hinzufügen um die Speicherkapazität pro Chip deutlich zu erhöhen. Die modernste Form des Flashspeichers in 3D-Bauweise nutzt beispielsweise bis zu 32 Schichten.

Wenn es um die Geschwindigkeit geht, so befindet sich die neue Technologie zwischen DRAM welcher im Arbeitsspeicher eingesetzt wird und dem Flashspeicher in SSD-Festplatten. Oder anders gesagt, DRAM ist immer noch etwa 1,5 mal schneller als 3D XPoint und 1500 mal schneller als Flash. Damit könnten Festplatten mit der neuen Technologie in Zukunft Aufgaben des Arbeitsspeichers zu Teilen übernehmen, diesen wohl aber aufgrund des Geschwindigkeitsnachteils nicht ganz ersetzen. Dafür bietet 3D XPoint wiederum eine 10-fach höhere Speicherdichte als DRAM und ist kostengünstiger in der Herstellung.